Low Temperature Synthesis of Insulator by ICP-CVD using Organo silicon source

Under construction.

関連発表

査読あり論文

  1. H. Furuta, M. Furuta, T. Matsuda, T. Hiramatsu, and T. Hirao: “SiO2 Insulator Film Synthesized at 100 °C using Tetramethylsilane by Inductively Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition”, Jpn. J. Appl. Phys., 46 No.10, (2007) L237-L240

査読あり国際会議プロシーディング

  1. H. Furuta, T. Hiramatsu, T. Matsuda, C. Li, M. Furuta, and T. Hirao, “Film Quality of Low Temperature Synthesized SiO2 Insulator Films by ICP-CVD Using Tetramethylsilane”, Proceedings of The 14th International Display Workshop (IDW’07) 14,Vol.2(2007)553-556
  2. H. Furuta, M. Furuta, T. Matsuda, T. Hiramatsu, T. Hirao: “Low-Temperature Synthesis of SiO2 Insulator by ICP-CVD Using Tetramethylsilane”, Proceedings of The 13th International Display Workshop (IDW’06), 13, Vol.2 (2006)973-975 : Outstanding Poster Paper Award, International Display Workshop 06

特許

  1. （特開2008-078511） 絶縁膜の成膜方法　古田寛、平松孝宏、松田時宜、古田守、平尾孝
  2. （特開2007-287890） 絶縁膜の成膜方法、半導体装置の製法、プラズマＣＶＤ装置　平尾孝、古田寛、古田守

解説（査読なし）

  1. 古田寛, 古田守, 松田時宜, 平尾孝 平松孝浩「非耐熱性基板用低温絶縁膜技術の開発」 マテリアルインテグレーション, Vol.19, No.10, (2006.09) 31-33
  2. 平尾孝　古田寛　尾浦憲治郎　平木昭夫　「低温加工できるＴＦＴ素子の開発　～プラスティック液晶の実用化を推進～」　月刊ディスプレイ　（2003年2月号）

国際会議発表

  1. H. Furuta, T. Hiramatsu, T. Matsuda, C. Li, M. Furuta, and T. Hirao, “Film Quality of Low Temperature Synthesized SiO2 Insulator Films by ICP-CVD Using Tetramethylsilane”, IDW’07 (Dec.2007, Hokkaido)
  2. H. Furuta, M. Furuta, T. Matsuda, T. Hiramatsu, T. Hirao: “Low-Temperature Synthesis of SiO2 Insulator by ICP-CVD Using Tetramethylsilane”, IDW’06 (Dec. 2006, Shiga, Japan)

国内会議発表

  1. 古田寛1,3、古田守1,3、松田時宜1,3、平松孝浩2,3、平尾孝1,3　（1高知工科大学、2高知カシオ（株） 3高知県産業振興センター）「テトラメチルシランを用いたICP-CVD 法による高品質SiO2 絶縁膜の低温合成」　第3回薄膜材料デバイス研究会 (奈良市あすなら会議場2006.11)
  2. 古田寛, 松田時宜, 古田守, 平尾孝 (高知工科大), 平松孝浩 (高知カシオ)「ICP-CVD法により低温合成したSi系薄膜の絶縁特性」応用物理学関連連合講演会(2006.3)

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